pn結擊穿(electricalbreakdownofp-njunction)
對pn結施加的反向偏壓增大到某一數值VBR時，反向電流密度突然開始迅速增大的'現象稱爲pn結擊穿。發生擊穿時的反向電壓稱爲pn結的擊穿電壓。
擊穿電壓與半導體材料的性質、雜質濃度及工藝過程等因素有關。pn結的擊穿從機理上可分爲雪崩擊穿、隧道擊穿和熱電擊穿三類。前兩者一般不是破壞性的，如果立即降低反向電壓，pn結的性能可以恢復;如果不立即降低電壓，pn結就遭到破壞。pn結上施加反向電壓時，如沒有良好散熱條件，將使結的溫度上升，反向電流進一步增大，如此反覆循環，最後使pn結髮生擊穿。由於熱不穩定性引起的擊穿，稱爲熱電擊穿，此類擊穿是永久破壞性的。pn結擊穿是pn結的一個重要電學性質，擊穿電壓限制了pn結的工作電壓，所以半導體器件對擊穿電壓都有一定的要求。但利用擊穿現象可製造穩壓二極管、雪崩二極管和隧道二極管等多種器件。
