間接帶隙半導體的物理知識點

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間接帶隙半導體的物理知識點

間接帶隙半導體(indirectbandgapsemiconductor)

間接帶隙半導體(indirectbandgapsemiconductor)

指Ge、Si和部分Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體,價帶頂位於K空間原點,而導帶底並不在K空間的原點。因此,間接帶隙半導體中電子不僅吸收光子還與晶格交換能量,發生非直接躍遷。伴隨發射或吸收適當的聲子,電子的波矢K可以改變。GaP是間接帶隙半導體,其發光也是間接躍遷產生的。但如果將GaP和GaAs混合製成GaAs1-xPx晶體,則可調節x(0