目前，市場中主要有的內存類型有SDRAM、DDRSDRAM和RDRAM三種。其中，DDRSDRAM內存佔據了市場的主流，而SDRAM內存規格已不再發展，處於被淘汰的行列。RDRAM則始終未成爲市場的主流，只有部分芯片組支持，而這些芯片組也逐漸退出了市場，RDRAM前景並不被看好。下面跟YJBYS小編一起來了解一下!
1)SDRAM
SDRAM，即SynchronousDRAM(同步動態隨機存儲器)，曾經是PC電腦上最爲廣泛應用的一種內存類型，即便在今天，SDRAM仍舊還在市場佔有一席之地。既然是同步動態隨機存儲器，那就代表着它的工作速度是與系統總線速度同步的。
SDRAM內存又分爲PC66、PC100、PC133等不同規格，而規格後面的數字，就代表着該內存最大所能正常工作的系統總線速度，如PC100，那就說明此內存可以在系統總線爲100MHz的電腦中同步工作。
與系統總線速度同步，也就是與系統時鐘同步，這樣就避免了不必要的等待週期，減少數據存儲時間。同步還使存儲控制器知道在哪一個時鐘脈衝期由數據請求使用，因此數據可在脈衝上升期便開始傳輸。SDRAM採用3.3伏工作電壓，168Pin的DIMM接口，帶寬爲64位。SDRAM不僅應用在內存上，在顯存上也較爲常見。
2)DDR
嚴格的說，DDR應該叫DDRSDRAM，人們習慣稱爲DDR。部分初學者也常看到DDRSDRAM，就認爲是SDRAM。DDRSDRAM是DoubleDataRateSDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態隨機存儲器的意思。
DDR內存是在SDRAM內存的基礎上發展而來的，仍然沿用SDRAM生產體系。因此，對於內存廠商而言，只需對製造普通SDRAM的設備稍加改進，即可實現DDR內存的生產，可有效的降低成本。
SDRAM在一個時鐘週期內只傳輸一次數據，它是在時鐘的上升期進行數據傳輸;而DDR內存則是一個時鐘週期內傳輸兩次數據，它能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數據。因此，稱爲雙倍速率同步動態隨機存儲器。DDR內存可以在與SDRAM相同的總線頻率下，達到更高的數據傳輸率。
與SDRAM相比，DDR運用了更先進的同步電路，使指定地址、數據輸送和輸出的主要步驟，既獨立執行，又保持與CPU完全同步。DDR使用了DLL(DelayLockedLoop，延時鎖定迴路提供一個數據濾波信號)技術，當數據有效時，存儲控制器可使用這個數據濾波信號來精確定位數據，每16次輸出一次，並重新同步來自不同存儲器模塊的數據。DDR本質上不需要提高時鐘頻率，就能加倍提高SDRAM的速度，它允許在時鐘脈衝的上升沿和下降沿讀出數據，因而其速度是標準SDRA的兩倍。
從外形體積上看，DDR與SDRAM相比差別並不大。他們具有同樣的尺寸和同樣的針腳距離。但DDR爲184針腳，比SDRAM多出了16個針腳，主要包含了新的控制、時鐘、電源和接地等信號。DDR內存採用的是支持2.5V電壓的SSTL2標準，而不是SDRAM使用的3.3V電壓的LVTTL標準。
3)RDRAM
RDRAM(RambusDRAM)是美國的RAMBUS公司開發的一種內存。與DDR和SDRAM不同，它採用了串行的數據傳輸模式。在推出時，因爲其徹底改變了內存的傳輸模式，無法保證與原有的製造工藝相兼容，而且內存廠商要生產RDRAM，還必須要加納一定專利費用，再加上其本身製造成本，就導致了RDRAM從一問世就高昂的價格，讓普通用戶無法接收。而同時期的DDR則能以較低的價格，不錯的性能，逐漸成爲主流，雖然RDRAM曾受到英特爾公司的大力支持，但始終沒有成爲主流。
RDRAM的數據存儲位寬是16位，遠低於DDR和SDRAM的64位。但在頻率方面，則遠遠高於二者，可以達到400MHz乃至更高。同樣也是在一個時鐘週期內傳輸兩次次數據，能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數據，內存帶寬能達到1.6Gbyte/s。
普通的DRAM行緩衝器的信息，在寫回存儲器後便不再保留，而RDRAM則具有繼續保持這一信息的特性，於是在進行存儲器訪問時，如行緩衝器中已經有目標數據，則可利用，因而實現了高速訪問。另外，其可把數據集中起來，以分組的形式傳送。所以，只要最初用24個時鐘，以後便可每1時鐘讀出1個字節。一次訪問所能讀出的`數據長度，可以達到256字節。
4)DDR2
DDR2(DoubleDataRate2)SDRAM，是由JEDEC(電子設備工程聯合委員會)進行開發的新生代內存技術標準，它與上一代DDR內存技術標準最大的不同就是，雖然同是採用了在時鐘的上升/下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2內存卻擁有兩倍於上一代DDR內存預讀取能力(即：4bit數據讀預取)。換句話說，DDR2內存每個時鐘能夠以4倍於外部總線的速度讀/寫數據，並且能夠以內部控制總線4倍的速度運行。
DDR和DDR2技術對比的數據此外，由於DDR2標準規定所有DDR2內存均採用FBGA封裝形式，而不同於目前廣泛應用的TSOP/TSOP-II封裝形式，FBGA封裝可以提供了更爲良好的電氣性能與散熱性，爲DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了堅實的基礎。回想起DDR的發展歷程，從第一代應用到個人電腦的DDR200，經過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術，第一代DDR的發展也走到了技術的極限，已經很難通過常規辦法提高內存的工作速度。隨着Intel最新處理器技術的發展，前端總線對內存帶寬的要求是越來越高，擁有更高更穩定運行頻率的DDR2內存將是大勢所趨。
