今天，小編就給大家介紹內存條常識，讓大家更瞭解主板，希望能幫到廣大網友。
一、看懂內存條
我們平常所說的“內存”大都是指“內存條”。那麼什麼是“內存條”呢?常見的“內存條”又有哪些類型呢?
1.內存條的誕生
當CPU在工作時，需要從硬盤等外部存儲器上讀取數據，但由於硬盤這個“倉庫”太大，加上離CPU也很“遠”，運輸“原料”數據的速度就比較慢，導致CPU的生產效率大打折扣!爲了解決這個問題，人們便在CPU與外部存儲器之間，建了一個“小倉庫”—內存。
內存雖然容量不大，一般只有幾十MB到幾百MB，但中轉速度非常快，如此一來，當CPU需要數據時，事先可以將部分數據存放在內存中，以解CPU的燃眉之急。由於內存只是一個“中轉倉庫”，因此它並不能用來長時間存儲數據。
2.常見的內存條
目前PC中所用的內存主要有SDRAM、DDR SDRAM、RDRAM等三種類型。
曾經主流—SDRAM
SDRAM(Synchronous DRAM)即“同步動態隨機存儲器”。SDRAM內存條的兩面都有金手指，是直接插在內存條插槽中的，因此這種結構也叫“雙列直插式”，英文名叫“DIMM”。目前絕大部分內存條都採用這種“DIMM”結構。
隨着處理器前端總線的不斷提高，SDRAM已經無法滿足新型處理器的需要了，早已退出了主流市場。
今日主流—DDR SDRAM
DDR SDRAM(簡稱DDR)是採用了DDR(Double Data Rate SDRAM，雙倍數據速度)技術的SDRAM，與普通SDRAM相比，在同一時鐘週期內，DDR SDRAM能傳輸兩次數據，而SDRAM只能傳輸一次數據。
從外形上看DDR內存條與SDRAM相比差別並不大，它們具有同樣的長度與同樣的引腳距離。只不過DDR內存條有184個引腳，金手指中也只有一個缺口，而SDRAM內存條是168個引腳，並且有兩個缺口。
根據DDR內存條的工作頻率，它又分爲DDR200、DDR266、DDR333、DDR400等多種類型：與SDRAM一樣，DDR也是與系統總線頻率 同步的，不過因爲雙倍數據傳輸，因此工作在133MHz頻率下的DDR相當於266MHz的SDRAM，於是便用DDR266來表示。
小提示：工作頻率表示內存所能穩定運行的最大頻率，例如PC133標準的M的工作頻率爲133MHz，而DDR266 DDR的工作頻率爲266MHz。對於內存而言，頻率越高，其帶寬越大。
除了用工作頻率來標示DDR內存條之外，有時也用帶寬值來標示，例如DDR 266的內存帶寬爲2100MB/s，所以又用PC2100來標示它，於是DDR333就是PC2700，DDR400就是PC3200了。
小提示：內存帶寬也叫“數據傳輸率”，是指單位時間內通過內存的數據量，通常以GB/s表示。我們用一個簡短的公式來說明內存帶寬的計算方法：內存帶寬=工作頻率×位寬/8×n(時鐘脈衝上下沿傳輸係數，DDR的係數爲2)。
由於DDR內存條價格低廉，性能出色，因此成爲今日主流的內存產品。
過時的貴族—RDRAM
RDRAM(存儲器總線式動態隨機存儲器)是Rambus公司開發的一種新型DRAM。RDRAM雖然位寬比SDRAM及DDR的64bit窄，但其時鐘頻率要高得多。
從外觀上來看，RDRAM內存條與SDRAM、DDR SDRAM內存條有點相似。
從技術上來看，RDRAM是一種比較先進的內存，但由於價格高，在市場上普及不是很實際。如今的RDRAM已經退出了普通臺式機市場。
3.內存的封裝
目前內存的封裝方式主要有TSOP、BGA、CSP等三種，封裝方式也影響着內存條的性能優劣。
TSOP封裝：TOSP(Thin Small Outline Package，薄型小尺寸封裝)的一個典型特點就是在封裝芯片的周圍做出很多引腳。TSOP封裝操作方便，可靠性比較高，是目前的主流封裝方式。
BGA封裝：BGA叫做“球柵陣列封裝”，其最大的特點就是芯片的引腳數目增多了，組裝成品率提高了。採用BGA封裝可以使內存在體積不變的情況下將內存容量提高兩到三倍，與TSOP相比，它具有更小的體積、更好的散熱性能和電性能。
CSP封裝：CSP(Chip Scale Package，芯片級封裝)作爲新一代封裝方式，其性能又有了很大的提高。CSP封裝不但體積小，同時也更薄，更能提高內存芯片長時間運行的可靠性，芯片速度也隨之得到大幅度的提高。目前該封裝方式主要用於高頻DDR內存。
二、內存強檔
要進一步瞭解內存，以下的內容一定不能錯過。其中內存的時鐘週期、存取時間和CAS延遲時間是衡量內存性能比較直接的重要參數，它們都可以在主板BIOS中設置，這個問題將在以後介紹BIOS的時候詳細闡述。
1.時鐘週期(TCK)
TCK 是“Clock Cycle Time”的縮寫，即內存時鐘週期。它代表了內存可以運行的最大工作頻率，數字越小說明內存所能運行的頻率就越高。時鐘週期與內存的工作頻率是成倒數的， 即TCK=1/F。比如一塊標有“-10”字樣的內存芯片，“-10”表示它的運行時鐘週期爲10ns，即可以在100MHz的頻率下正常工作。
2.存取時間(TAC)
TAC(Access Time From CLK)表示“存取時間”。與時鐘週期不同，TAC僅僅代表訪問數據所需要的時間。如一塊標有“-7J”字樣的內存芯片說明該內存條的存取時間是7ns。 存取時間越短，則該內存條的性能越好，比如說兩根內存條都工作在133MHz下，其中一根的存取時間爲6ns，另外一根是7ns，則前者的速度要好於後 者。
延遲時間(CL)
CL(CAS Latency)是內存性能的一個重要指標，它是內存縱向地址脈衝的反應時間。當電腦需要向內存讀取數據時，在實際讀取之前一般都有一個“緩衝期”，而 “緩衝期”的時間長度，就是這個CL了。內存的CL值越低越好，因此，縮短CAS的週期有助於加快內存在同一頻率下的工作速度。
4.奇偶校驗(ECC)
內存是一種數據中轉“倉庫”，而在頻繁的中轉過程中，一旦搞錯了數據怎麼辦?而ECC就是一種數據檢驗機制。ECC不僅能夠判斷數據的正確性，還能糾正大多數錯誤。普通PC中一般不用這種內存，它們一般應用在高端的服務器電腦中。
目前市場上主流的內存有SDRAM和DDR SDRAM，內存條品牌主要有金士頓、三星、宇瞻、富豪、現代等等。
