二極管是誕生最早的半導體器件之一,幾乎在所有的電子電路中,都會用到半導體二極管。下面，小編爲大家講講二極管的特性，快來看看吧!
齊納擊穿
反向擊穿按機理分爲齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區內共價鍵結構，使價電子脫離共價鍵束縛，產生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱爲齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區寬度較寬，不容易產生齊納擊穿。
雪崩擊穿
另一種擊穿爲雪崩擊穿。當反向電壓增加到較大數值時，外加電場使電子漂移速度加快，從而與共價鍵中的價電子相碰撞，把價電子撞出共價鍵，產生新的電子-空穴對。
新產生的電子-空穴被電場加速後又撞出其它價電子，載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱爲雪崩擊穿。無論哪種擊穿，若對其電流不加限制，都可能造成PN結永久性損壞。
正向性外加正向電壓時，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN結內電場的阻擋作用，正向電流幾乎爲零，這一段稱爲死區。這個不能使二極管導通的正向電壓稱爲死區電壓。
當正向電壓大於死區電壓以後，PN結內電場被克服，二極管正向導通，電流隨電壓增大而迅速上升。
在正常使用的電流範圍內，導通時二極管的端電壓幾乎維持不變，這個電壓稱爲二極管的正向電壓。當二極管兩端的正向電壓超過一定數值 ，內電場很快被削弱，特性電流迅速增長，二極管正向導通。
叫做門坎電壓或閾值電壓，硅管約爲0.5V，鍺管約爲0.1V。硅二極管的正向導通壓降約爲0.6~0.8V，鍺二極管的正向導通壓降約爲0.2~0.3V。
反向性外加反向電壓不超過一定範圍時，通過二極管的電流是少數載流子漂移運動所形成反向電流。由於反向電流很小，二極管處於截止狀態。這個反向電流又稱爲反向飽和電流或漏電流，二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。
一般硅管的反向電流比鍺管小得多，小功率硅管的反向飽和電流在nA數量級，小功率鍺管在μA數量級。溫度升高時，半導體受熱激發，少數載流子數目增加，反向飽和電流也隨之增加。
擊穿
外加反向電壓超過某一數值時，反向電流會突然增大，這種現象稱爲電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱爲二極管反向擊穿電壓。電擊穿時二極管失去單向導電性。
如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱，則單向導電性不一定會被永久破壞，在撤除外加電壓後，其性能仍可恢復，否則二極管就損壞了。因而使用時應避免二極管外加的反向電壓過高。
二極管是一種具有單向導電的二端器件，有電子二極管和晶體二極管之分，電子二極管因爲燈絲的熱損耗，效率比晶體二極管低，所以現已很少見到，比較常見和常用的'多是晶體二極管。
二極管的單向導電特性，幾乎在所有的電子電路中，都要用到半導體二極管，它在許多的電路中起着重要的作用，它是誕生最早的半導體器件之一，其應用也非常廣泛。
二極管的管壓降：硅二極管(不發光類型)正向管壓降0.7V，鍺管正向管壓降爲0.3V，發光二極管正向管壓降會隨不同發光顏色而不同。
主要有三種顏色，具體壓降參考值如下：紅色發光二極管的壓降爲2.0--2.2V，黃色發光二極管的壓降爲1.8—2.0V，綠色發光二極管的壓降爲3.0—3.2V，正常發光時的額定電流約爲20mA。
二極管的電壓與電流不是線性關係，所以在將不同的二極管並聯的時候要接相適應的電阻。
特性曲線
與PN結一樣，二極管具有單向導電性。硅二極管典型伏安
特性曲線(圖)。在二極管加有正向電壓，當電壓值較小時，電流極小;當電壓超過0.6V時，電流開始按指數規律增大，通常稱此爲二極管的開啓電壓;當電壓達到約0.7V時，二極管處於完全導通狀態，通常稱此電壓爲二極管的導通電壓，用符號UD表示。
對於鍺二極管，開啓電壓爲0.2V，導通電壓UD約爲0.3V。在二極管加有反向電壓，當電壓值較小時，電流極小，其電流值爲反向飽和電流IS。
當反向電壓超過某個值時，電流開始急劇增大，稱之爲反向擊穿，稱此電壓爲二極管的反向擊穿電壓，用符號UBR表示。不同型號的二極管的擊穿電壓UBR值差別很大，從幾十伏到幾千伏。
